从2019年开始，安森美在其位于Roznov的现有硅抛光和外延晶圆及芯片生产的基础上，增加了SiC抛光晶圆和SiC外延 (以下简称“EPI”) 晶圆生产。由于原来的场地满足不了需求，去年开始再建新的厂房，以进一步扩大晶圆和SiC EPI的生产。在未来两年内，这一扩建将使该基地的SiC产能提高16倍，并在2024年底前创造200个就业机会。到目前为止，安森美在Roznov基地的投资已超过1.5亿美元，并计划在2023年前追加投资3亿美元。安森美最近因其在捷克共和国的SiC投资而获外国投资协会 (AFI) 投资领域重大贡献奖。
安森美电源方案部执行副总裁兼总经理Simon Keeton说：“连同我们在美国新罕布什尔州哈德逊的SiC晶锭的扩产，这些增加的SiC制造能力使安森美能为客户提供关键的供应保证，以满足市场对基于SiC的方案快速增长的需求。我们对SiC制造供应链的全面把控，以及我们产品领先市场的能效，凸显了安森美在SiC的领先地位更进一步。”
SiC对于提高电动汽车(EV)、电动汽车充电和能源基础设施的能效至关重要，也是实现脱碳的一个重要助力。
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